IPW65R190CFDFKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 468
Jednotková cena : 89,24000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 381
Jednotková cena : 151,19000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 422,06540 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 579
Jednotková cena : 468,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 51,22420 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPW65R190CFDFKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPW65R190CFDFKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPW65R190CFDFKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 7,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 730µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1850 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
151W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-3-1
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.