
IPW60R045CPFKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPW60R045CPFKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPW60R045CPFKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 60A (Tc) 431W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPW60R045CPFKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 3mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 190 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6800 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 431W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 45mOhm při 44A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 139 | 497-16127-5-ND | 236,08000 Kč | Direct |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 873 | FCH040N65S3-F155-ND | 295,73000 Kč | Similar |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 326,60000 Kč | Similar |
| IXFH80N65X2 | IXYS | 1 650 | 238-IXFH80N65X2-ND | 390,00000 Kč | Similar |
| SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW70N60EF-GE3-ND | 174,68698 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 409,18000 Kč | 409,18 Kč |
| 30 | 251,65633 Kč | 7 549,69 Kč |
| 120 | 217,17183 Kč | 26 060,62 Kč |
| 510 | 191,93316 Kč | 97 885,91 Kč |
| 1 020 | 182,73384 Kč | 186 388,52 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 409,18000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 495,10780 Kč |


