IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPTG111N20NM3FDATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPTG111N20NM3FDATMA1
Popis	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 3
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,1mOhm při 96A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 267µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7000 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOG-8-1
Pouzdro	8-PowerSMD, Přívod tvaru L
Základní číslo produktu	IPTG111N