Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 147.3659 CZK
Availability: InStock

IPT60R102G7XTMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT60R102G7XTMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ G7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	102mOhm při 7,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 390µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1320 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	141W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT60R102

Jednotková cena bez DPH:	121,79000 Kč
Jednotková cena s DPH:	147,36590 Kč

IPT60R102G7XTMA1