Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 143.5544 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT60R102G7XTMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT60R102G7XTMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	36 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 390µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ G7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1320 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 141W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-2
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 23A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPT60R102
Rds zap (max) při Id, Vgs 102mOhm při 7,8A, 10V