Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND
Price: 113.8247 CZK
Availability: InStock

IPT019N08N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT019N08N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT019N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT019N08N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT019N08N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	32A (Ta), 247A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 159µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9200 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	231W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT019

Jednotková cena bez DPH:	94,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	113,82470 Kč

IPT019N08N5ATMA1