Name: IPP80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Price: 44.4675 CZK
Availability: OutOfStock

IPP80R1K4P7XKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP80R1K4P7XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP80R1K4P7XKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,4Ohm při 1,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 70µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	250 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	32W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP80R1

Jednotková cena bez DPH:	36,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:	44,46750 Kč

IPP80R1K4P7XKSA1