Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPP60R099P6XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP60R099P6XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R099P6XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 25 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 37,9A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R099P6XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 1,21mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 70 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3330 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 278W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 14,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP32N65X | IXYS | 0 | IXTP32N65X-ND | 109,64160 Kč | Similar |
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | 960 | 846-R6027YNX3C16-ND | 141,40000 Kč | Similar |
| R6035VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 953 | 846-R6035VNX3C16-ND | 156,21000 Kč | Similar |
| R6038YNX3C16 | Rohm Semiconductor | 989 | 846-R6038YNX3C16-ND | 157,88000 Kč | Similar |
| SIHP28N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP28N65E-GE3-ND | 61,60131 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 149,95000 Kč | 149,95 Kč |
| 50 | 78,93800 Kč | 3 946,90 Kč |
| 100 | 72,07240 Kč | 7 207,24 Kč |
| 500 | 60,04966 Kč | 30 024,83 Kč |
| 1 000 | 56,19014 Kč | 56 190,14 Kč |
| 2 000 | 52,94701 Kč | 105 894,02 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 149,95000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 181,43950 Kč |













