IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPP120P04P4L03AKSA2 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Goford Semiconductor

Skladem : 0

Jednotková cena : 55,36000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP120P04P4L03AKSA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP120P04P4L03AKSA2
Popis	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP120P04P4L03AKSA2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ P2
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,4mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 340µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	15000 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q100
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-1
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP120