Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 61.4922 CZK
Availability: OutOfStock

IPP086N10N3GXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP086N10N3GXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP086N10N3GXKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,6mOhm při 73A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 75µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3980 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP086

Jednotková cena bez DPH:	50,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	61,49220 Kč

IPP086N10N3GXKSA1