IPN80R900P7ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 878
Jednotková cena : 40,53000 Kč
Katalogový list
N-kanál 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPN80R900P7ATMA1
Popis
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPN80R900P7ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
900mOhm při 2,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 110µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
350 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT223
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.