Name: IPN80R600P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R600P7ATMA1TR-ND
Price: 68.6433 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPN80R600P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN80R600P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN80R600P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN80R600P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN80R600P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 8A (Tc) 7,4W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN80R600P7ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 170µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 570 pF @ 500 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 7,4W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT223
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Tc)	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPN80R600
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 3,4A, 10V