Name: IPN80R2K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R2K4P7ATMA1TR-ND
Price: 30.492 CZK
Availability: InStock

IPN80R2K4P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN80R2K4P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN80R2K4P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN80R2K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN80R2K4P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 2,5A (Tc) 6,3W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN80R2K4P7ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,4Ohm při 800mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	150 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,3W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	IPN80R2

Jednotková cena bez DPH:	25,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,49200 Kč

IPN80R2K4P7ATMA1