



IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPI60R125CPXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPI60R125CPXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor PG-TO262-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPI60R125CPXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 1,1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 70 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2500 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO262-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 16A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | 34,09277 Kč | Similar |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | 93,65000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 133,34000 Kč | 133,34 Kč |
| 50 | 70,41880 Kč | 3 520,94 Kč |
| 100 | 64,33370 Kč | 6 433,37 Kč |
| 500 | 53,67634 Kč | 26 838,17 Kč |
| 1 000 | 50,25556 Kč | 50 255,56 Kč |
| 2 000 | 48,42402 Kč | 96 848,04 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 133,34000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 161,34140 Kč |









