



IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPI086N10N3GXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO262-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPI086N10N3GXKSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 6V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 8,6mOhm při 73A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,5V při 75µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 125W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO262-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 47,67000 Kč | 47,67 Kč |
| 50 | 23,11880 Kč | 1 155,94 Kč |
| 100 | 20,73760 Kč | 2 073,76 Kč |
| 500 | 16,56196 Kč | 8 280,98 Kč |
| 1 000 | 15,21935 Kč | 15 219,35 Kč |
| 2 000 | 14,09040 Kč | 28 180,80 Kč |
| 5 000 | 13,08700 Kč | 65 435,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 47,67000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 57,68070 Kč |









