Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 48.642 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N06S2L35ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N06S2L35ATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 55V 20A 65W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N06S2L35ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 27µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	790pF při 25V
Výkon - max	65W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-4
Základní číslo produktu	IPG20N