Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 59.4594 CZK
Availability: InStock

IPD90R1K2C3ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD90R1K2C3ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 900 V 5,1A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD90R1K2C3ATMA2 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	900 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 2,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 310µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	710 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD90

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	12,42376 Kč	31 059,40 Kč
5 000	12,03446 Kč	60 172,30 Kč

Jednotková cena bez DPH:	49,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	59,45940 Kč

IPD90R1K2C3ATMA2