Name: IPD85P04P407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD85P04P407ATMA2TR-ND
Price: 49.1502 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD85P04P407ATMA2
Číslo produktu DigiKey	448-IPD85P04P407ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD85P04P407ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD85P04P407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD85P04P407ATMA2
Popis	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD85P04P407ATMA2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ P2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	85A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,3mOhm při 85A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6085 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	88W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-313
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD85P04