IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPD85P04P407ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 7 682

Jednotková cena : 46,83000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD85P04P407ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD85P04P407ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD85P04P407ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD85P04P407ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD85P04P407ATMA1
Popis	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 89 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6085 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 88W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 85A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-313
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,3mOhm při 85A, 10V	Základní číslo produktu IPD85P04
Vgs(th) (max) při Id 4V při 150µA