IPD65R950CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 2 094
Jednotková cena : 36,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 43,89000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 68
Jednotková cena : 44,52000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 339
Jednotková cena : 101,63000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD65R950CFDATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPD65R950CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
950mOhm při 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
380 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
36,7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.