Name: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND
Price: 30.492 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 3,6A (Tc) 22W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-344
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ PFD7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,5Ohm při 700mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	169 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	22W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-344
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60R