Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 52.2115 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPD60N10S4L12ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60N10S4L12ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 46µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3170 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	94W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-313
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60N10

Jednotková cena bez DPH:	43,15000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,21150 Kč

IPD60N10S4L12ATMA1