Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 65.0375 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD60N10S4L12ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60N10S4L12ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 49 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±16V
Řada HEXFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3170 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 94W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-313
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 60A, 10V	Základní číslo produktu IPD60N10
Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 46µA