Name: IPD50N08S413ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N08S413ATMA1TR-ND
Price: 38.8168 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD50N08S413ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD50N08S413ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD50N08S413ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD50N08S413ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD50N08S413ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD50N08S413ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 33µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1711 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	72W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-313
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD50