Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 57.4266 CZK
Availability: InStock

IPD60N10S412ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60N10S412ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-313
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60N10S412ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,2mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 46µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2470 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	94W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-313
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60N10

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	11,91443 Kč	29 786,07 Kč
5 000	11,46230 Kč	57 311,50 Kč

Jednotková cena bez DPH:	47,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,42660 Kč

IPD60N10S412ATMA1