Name: IPD50R3K0CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50R3K0CEAUMA1TR-ND
Price: 18.0411 CZK
Availability: InStock

IPD50R3K0CEAUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD50R3K0CEAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD50R3K0CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD50R3K0CEAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 1,7A (Tc) 26W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD50R3K0CEAUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CE
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	13V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3Ohm při 400mA, 13V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 30µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	84 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	26W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD50R3

Jednotková cena bez DPH:	14,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:	18,04110 Kč

IPD50R3K0CEAUMA1