IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPD40N03S4L08ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Infineon Technologies

Skladem : 9 247

Jednotková cena : 19,10817 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD40N03S4L08ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD40N03S4L08ATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD40N03S4L08ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±16V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1520 pF @ 15 V
Balení Páska a cívka (TR)	Rozptylový výkon (Max) 42W (Tc)
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3-11
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,3mOhm při 40A, 10V	Základní číslo produktu IPD40N03
Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 13µA