Name: IPD33CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD33CN10NGATMA1TR-ND
Price: 43.197 CZK
Availability: InStock

IPD33CN10NGATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD33CN10NGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD33CN10NGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD33CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD33CN10NGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD33CN10NGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	33mOhm při 27A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 29µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1570 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	58W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD33CN10

Jednotková cena bez DPH:	35,70000 Kč
Jednotková cena s DPH:	43,19700 Kč

IPD33CN10NGATMA1