Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GATMA1TR-ND
Price: 63.525 CZK
Availability: InStock

IPD082N10N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD082N10N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD082N10N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD082N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD082N10N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD082N10N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,2mOhm při 73A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 75µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3980 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD082

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	15,50576 Kč	38 764,40 Kč
5 000	15,01882 Kč	75 094,10 Kč

IPD082N10N3GATMA1

Jednotková cena bez DPH:	52,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:	63,52500 Kč