Name: IPD053N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD053N08N3GATMA1TR-ND
Price: 80.7433 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPD053N08N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD053N08N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD053N08N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD053N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD053N08N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 90A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD053N08N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,3mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4750 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD053

Jednotková cena bez DPH:	66,73000 Kč
Jednotková cena s DPH:	80,74330 Kč

IPD053N08N3GATMA1