Name: IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND
Price: 45.8711 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD048N06L3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPD048N06L3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPD048N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD048N06L3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-311
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD048N06L3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,8mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 58µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8400 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	115W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-311
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD048N