Name: IPC100N04S51R2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND
Price: 38.5627 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPC100N04S51R2ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPC100N04S51R2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPC100N04S51R2ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-34
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPC100N04S51R2ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7650 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-34
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IPC100