Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 151.0443 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPBE65R099CFD7AATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPBE65R099CFD7AATMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CFD7A
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	24A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 12,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 630µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2513 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	127W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-3-10
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívody + výstupek), TO-263CB
Základní číslo produktu	IPBE65