Name: IPB95R130PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND
Price: 182.3712 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB95R130PFD7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB95R130PFD7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB95R130PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB95R130PFD7ATMA1
Popis	HIGH POWER_NEW
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 950 V 36,5A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	950 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	36,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	130mOhm při 25,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1,25mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4170 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB