IPB65R190CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 583
Jednotková cena : 95,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 800
Jednotková cena : 118,64000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 578
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 207
Jednotková cena : 164,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 30
Jednotková cena : 114,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 55,94287 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 150,14000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 770
Jednotková cena : 81,89000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 809
Jednotková cena : 95,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 905
Jednotková cena : 58,79000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,38010 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R190CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R190CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R190CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB65R190CFDATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 730µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
68 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1850 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
151W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 7,3A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (11)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPB65R190CFDATMA2Infineon Technologies583448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND95,96000 KčMFR Recommended
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND118,64000 KčSimilar
FCB199N65S3onsemi578488-FCB199N65S3CT-ND108,35000 KčSimilar
IXFA22N65X2IXYS4 207238-IXFA22N65X2-ND164,20000 KčSimilar
SIHB21N60EF-GE3Vishay Siliconix30SIHB21N60EF-GE3-ND114,65000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.