IPB65R190CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 608
Jednotková cena : 2,88000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 800
Jednotková cena : 4,15000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 598
Jednotková cena : 3,79000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 207
Jednotková cena : 5,17000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 30
Jednotková cena : 4,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,69973 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 770
Jednotková cena : 2,86000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 820
Jednotková cena : 3,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 915
Jednotková cena : 2,06000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,43956 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R190CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R190CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R190CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB65R190CFDATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 7,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 730µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1850 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
151W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.