IPB60R380P6ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Skladem : 1 988
Jednotková cena : 43,89000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 600 V 10,6A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 600 V 10,6A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R380P6ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB60R380P6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB60R380P6ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 10,6A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolMOS™ P6
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 320µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
877 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB60R
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.