IPB60R280C6ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 3 738
Jednotková cena : 50,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 937
Jednotková cena : 60,20000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 659
Jednotková cena : 57,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 925
Jednotková cena : 74,78000 Kč
Katalogový list
PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R280C6ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB60R280C6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB60R280C6ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
280mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 430µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
950 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.