IPB530N15N3GATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 3 165
Jednotková cena : 49,98000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 263
Jednotková cena : 60,68000 Kč
Katalogový list
N-kanál 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB530N15N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB530N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB530N15N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB530N15N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
53mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
887 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
68W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.