Name: IPB45N06S4L08ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB45N06S4L08ATMA3TR-ND
Price: 55.5269 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB45N06S4L08ATMA3
Číslo produktu DigiKey	448-IPB45N06S4L08ATMA3TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB45N06S4L08ATMA3CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB45N06S4L08ATMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB45N06S4L08ATMA3
Popis	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB45N06S4L08ATMA3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ T2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	45A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,9mOhm při 45A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4780 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	71W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB45N