Name: IPB120N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N04S402ATMA1TR-ND
Price: 88.4147 CZK
Availability: InStock

IPB120N04S402ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB120N04S402ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB120N04S402ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB120N04S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB120N04S402ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB120N04S402ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 110µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	134 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10740 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	158W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB120

Jednotková cena bez DPH:	73,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	88,41470 Kč

IPB120N04S402ATMA1