IPB065N10N3GATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,34177 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,41590 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 2 298
Jednotková cena : 5,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 812
Jednotková cena : 2,69000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB065N10N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB065N10N3GATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB065N10N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,5mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4910 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.