IPB054N06N3GATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 3 077
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 736
Jednotková cena : 70,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 011
Jednotková cena : 54,38000 Kč
Katalogový list

Direct


onsemi
Skladem : 1 431
Jednotková cena : 70,13000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 1 206
Jednotková cena : 63,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 183
Jednotková cena : 94,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 594
Jednotková cena : 63,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 303
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 520
Jednotková cena : 91,55000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 355
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 45,94013 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 632
Jednotková cena : 60,05000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 397
Jednotková cena : 76,22000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB054N06N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB054N06N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB054N06N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB054N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB054N06N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB054N06N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,4mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 58µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6600 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
115W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.