Name: IPB042N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB042N10N3GATMA1TR-ND
Price: 73.4228 CZK
Availability: InStock

IPB042N10N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB042N10N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB042N10N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB042N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB042N10N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB042N10N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8410 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB042

Jednotková cena bez DPH:	60,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:	73,42280 Kč

IPB042N10N3GATMA1