Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 139.2347 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB038N12N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB038N12N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB038N12N3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 270µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 211 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 13800 pF @ 60 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPB038
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,8mOhm při 100A, 10V