Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: InStock

IPB029N06N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB029N06N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB029N06N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB029N06N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,9mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 118µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	13000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	188W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB029

Jednotková cena bez DPH:	65,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	78,75890 Kč

IPB029N06N3GATMA1