IPA80R1K4CEXKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPA80R1K4CEXKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Direct

Infineon Technologies

Skladem : 3

Jednotková cena : 39,32000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 425

Jednotková cena : 58,67000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA80R1K4CEXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPA80R1K4CEXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPA80R1K4CEXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 2,8A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CE
Balení	Trubice
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,4Ohm při 2,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	570 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	31W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-FP
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	IPA80R