IPA60R385CPXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 500
Jednotková cena : 43,68000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 235
Jednotková cena : 120,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 160
Jednotková cena : 143,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 73,91000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 700
Jednotková cena : 40,53000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 975
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 106,67000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 594
Jednotková cena : 48,93000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 9A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-31
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA60R385CPXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPA60R385CPXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPA60R385CPXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 9A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-31
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPA60R385CPXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
385mOhm při 5,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 340µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
790 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
31W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-31
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.