IPA50R299CPXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 367
Jednotková cena : 56,48000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 898
Jednotková cena : 100,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 970
Jednotková cena : 114,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 97
Jednotková cena : 75,59000 Kč
Katalogový list
N-kanál 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-31
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA50R299CPXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPA50R299CPXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPA50R299CPXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-31
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
550 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
299mOhm při 6,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 440µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1190 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-31
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 31 927 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

31 927Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC