Name: IMYH200R075M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Price: 493.1113 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMYH200R075M1HXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMYH200R075M1HXKSA1
Popis	SIC DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 2000 V 34A (Tc) 267W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U04
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMYH200R075M1HXKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	2000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	98mOhm při 13A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,5V při 7,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	64 nC @ 18 V
Vgs (max)	+20V, -7V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	267W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-4-U04
Pouzdro	TO-247-4
Základní číslo produktu	IMYH200

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 204

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	407,53000 Kč	407,53 Kč
30	255,96800 Kč	7 679,04 Kč
120	237,14758 Kč	28 457,71 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.