N-kanál 650 V 68A (Tc) 312W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMT65R033M2HXUMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMT65R033M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMT65R033M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMT65R033M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IMT65R033M2HXUMA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 68A (Tc) 312W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
68A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
30mOhm při 27,9A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 5,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1215 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
312W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-HSOF-8-2
Pouzdro
8-PowerSFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 125
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1225,94000 Kč225,94 Kč
10155,38500 Kč1 553,85 Kč
100115,44700 Kč11 544,70 Kč
500114,94390 Kč57 471,95 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 00093,90831 Kč187 816,62 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:225,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:273,38740 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
4 Položky
IMT65R026M2HXUMA1

IMT65R026M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

260,38000 Kč
IMT65R040M2HXUMA1

IMT65R040M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

183,10000 Kč
IMT65R020M2HXUMA1

IMT65R020M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

292,08000 Kč
IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Infineon Technologies

288,72000 Kč