Name: IMT65R026M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND
Price: 357.9906 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMT65R026M2HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMT65R026M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMT65R026M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMT65R026M2HXUMA1
Popis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 81A (Tc) 365W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 34,5A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 7mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1499 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 365W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 81A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Pouzdro 8-PowerSFN