N-kanál 650 V 131A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMT65R015M2HXUMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMT65R015M2HXUMA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 131A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
13,2mOhm při 64,2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 13mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
79 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2792 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
535W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-HSOF-8-2
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1329,04000 Kč329,04 Kč
10232,32200 Kč2 323,22 Kč
100212,28770 Kč21 228,77 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 000173,43823 Kč346 876,46 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:329,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:398,13840 Kč